技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 4.00 A
技术参数/额定功率: 40 W
技术参数/耗散功率: 40000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100
技术参数/额定功率(Max): 40 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 40000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/长度: 8 mm
外形尺寸/宽度: 3.25 mm
外形尺寸/高度: 11.2 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSE800STSSTU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-126-3 |
Trans Darlington NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail
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MJE800STU
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MJE800STU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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