技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 300 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.225 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 30 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.3A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 5000
技术参数/额定功率(Max): 225 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/增益带宽: 125MHz (Min)
技术参数/耗散功率(Max): 225 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.12 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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DAYA | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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MAKO SEMICONDUCTOR COLIMITED | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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MMBTA14
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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MMBTA14
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
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