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型号： NE325S01
描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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品 牌： NEC (日本电气)
封 装： SO-1
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
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技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 165 mW

技术参数/漏源击穿电压: 4.00 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 60.0 mA

封装参数/封装: SO-1

外形尺寸/封装: SO-1

其他/产品生命周期: Obsolete

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
NE3210S01 NE3210S01 Silicon Strorage Technology 功能相似 SO-1
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Lo Noise HJFET
NE3210S01 NE3210S01 California Eastern Laboratories 功能相似 SMD-1
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Lo Noise HJFET
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NE3210S01-T1 NE3210S01-T1 Renesas Electronics (瑞萨电子) 功能相似 Surface Mount
Trans JFET 4V 70mA AlGaAs 4Pin Case S01 T/R
NE3210S01-T1 NE3210S01-T1 California Eastern Laboratories 功能相似 4
Trans JFET 4V 70mA AlGaAs 4Pin Case S01 T/R
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NE3210S01-T1B NE3210S01-T1B Renesas Electronics (瑞萨电子) 功能相似 Case S01
NE3210S01 N 沟道 12 Ghz 13.5 dB 165 mW 低噪声 HJ FET - SO-1
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NE3210S01-T1B NE3210S01-T1B California Eastern Laboratories 功能相似 SMD-4
NE3210S01 N 沟道 12 Ghz 13.5 dB 165 mW 低噪声 HJ FET - SO-1
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