技术参数/频率: 12 GHz
技术参数/耗散功率: 165 mW
技术参数/漏源击穿电压: 4.00 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 10.0 mA
技术参数/增益: 13.5 dB
技术参数/测试电流: 10 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 165 mW
技术参数/额定电压: 4 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SMD-4
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SMD-4
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Silicon Strorage Technology | 功能相似 | SO-1 |
HJ-FET 13.5dB S01
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NE3210S01
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California Eastern Laboratories | 功能相似 | SMD-1 |
HJ-FET 13.5dB S01
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | Surface Mount |
HJ-FET 13.5dB S01
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California Eastern Laboratories | 功能相似 | 4 |
HJ-FET 13.5dB S01
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NE3210S01-T1B
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | Case S01 |
HJ-FET 13.5dB S01
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NE3210S01-T1B
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California Eastern Laboratories | 功能相似 | SMD-4 |
HJ-FET 13.5dB S01
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NE32584C
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NEC (日本电气) | 功能相似 |
ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
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NEC (日本电气) | 功能相似 | + |
Trans JFET N-CH 4V 90mA AlGaAs 4Pin Case 84C T/R
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NE34018-T1
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California Eastern Laboratories | 功能相似 | SOT-343 |
JFET N-CH 4V 120mA 4Pin
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