技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/正向电压: 1.00 V
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 250 W
技术参数/漏源击穿电压: 60.0V (min)
技术参数/连续漏极电流(Ids): 75.0 A
技术参数/上升时间: 95.0 ns
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
其他/产品生命周期: Unknown
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTE2387
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-220 |
NTE ELECTRONICS NTE2387. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 4A, TO-220
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SPP20N60S5
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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STP10P6F6
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
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