技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 1.6 Ω
技术参数/耗散功率: 0.2 W
技术参数/阈值电压: 1.76 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-363-6
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-363-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: ??, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2019/01/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002DW
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-363-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
|
UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Panjit (强茂) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-363-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 功能相似 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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CJ (长电科技) | 功能相似 | SC-70-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SC-70-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW-7-F
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Diodes (美台) | 功能相似 | SC-70-6 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DW-7-F
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-363 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DW-7-F
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Multicomp | 功能相似 | SOT-363 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DWL6327
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOT-363-6 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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