封装参数/封装: SOT-363
外形尺寸/封装: SOT-363
其他/最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage: 60V
其他/最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage: 20V
其他/最大漏极电流IdDrain Current: 115mA/0.115A
其他/源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance: 7.5Ω@ VGS = 4.5V,ID = 75mA
其他/开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage: 1~2.5V
其他/耗散功率PdPower Dissipation: 200mW/0.2W
其他/规格书PDF: __
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N7002DW
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-363-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Panjit (强茂) | 功能相似 | SOT-363 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-363-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 功能相似 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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CJ (长电科技) | 功能相似 | SC-70-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SC-70-6 |
2N7002DW 复合场效应管 60 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 XS 快速开关 双N沟道
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2N7002DW-7-F
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Diodes (美台) | 功能相似 | SC-70-6 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DW-7-F
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-363 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DW-7-F
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Multicomp | 功能相似 | SOT-363 |
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
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2N7002DWL6327
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOT-363-6 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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