技术参数/耗散功率: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 90 V
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Suptertex | 功能相似 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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Solid State Devices | 功能相似 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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Solid State | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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Supertex (超科) | 功能相似 | TO-39 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-39-3 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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NJS | 功能相似 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
晶体管, MOSFET, 垂直DMOS FET, N沟道, 1.5 A, 90 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
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2N6661-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-205 |
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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2N6661-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-205-3 |
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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2N6661-E3
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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