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型号: 2N6316
描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
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封 装: TO-66-2
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标准包装数: 1
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10+:
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100+:
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250+:
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500+:
¥ 78.1434
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技术参数/耗散功率: 90 W

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @500mA, 4V

技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 100 @2.5A, 4V

技术参数/工作温度(Max): 200 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

封装参数/封装: TO-66-2

外形尺寸/封装: TO-66-2

其他/产品生命周期: Active

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N3583 2N3583 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-66
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583 2N3583 NTE Electronics 功能相似 TO-66
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583 2N3583 Mospec 功能相似 TO-66
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N6316 2N6316 Semelab 功能相似 TO-66
PNP Transistor
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2N6316 2N6316 Central Semiconductor 功能相似 TO-66-2
PNP Transistor
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2N6316 2N6316 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-66
PNP Transistor
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2N6317 2N6317 Central Semiconductor 类似代替 TO-66
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6317 2N6317 Microsemi (美高森美) 类似代替 TO-66
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6317 2N6317 Motorola (摩托罗拉) 类似代替
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6318 2N6318 Microsemi (美高森美) 完全替代 TO-66
Trans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6318 2N6318 Central Semiconductor 完全替代 TO-66-2
Trans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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