技术参数/耗散功率: 90 W
技术参数/增益频宽积: 4 MHz
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @500mA, 4V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 100 @2.5A, 4V
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-66-2
外形尺寸/封装: TO-66-2
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3583
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583
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Mospec | 功能相似 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N6316
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Semelab | 完全替代 | TO-66 |
PNP Transistor
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2N6316
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Central Semiconductor | 完全替代 | TO-66-2 |
PNP Transistor
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2N6316
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-66 |
PNP Transistor
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-66 |
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6317
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-66 |
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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2N6317
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
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