技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 5.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 1000 @3A, 3V
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 1000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 9.3 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BDX53C
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
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BDX53C
|
Continental Device | 类似代替 | SFM |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
|
||
|
BDX53C
|
Poinn | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
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ST1802HI
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | ISOWATT-218-3 |
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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