技术参数/频率: 10 GHz
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/输出功率: 12 dBm
技术参数/增益: 9 dB
技术参数/测试电流: 20 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
技术参数/额定电压: 5 V
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: 0402
外形尺寸/高度: 0.25 mm
外形尺寸/封装: 0402
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VMMK-1218-BLKG
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Broadcom (博通) | 类似代替 | SMD |
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, 1 X 0.5MM, 0.25MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA THIN, MINIATURE PACKAGE-3
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VMMK-1218-BLKG
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AVAGO Technologies (安华高科) | 类似代替 | 0402 |
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, 1 X 0.5MM, 0.25MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA THIN, MINIATURE PACKAGE-3
|
||
VMMK-1218-TR1G
|
Broadcom (博通) | 类似代替 | 0402 |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz
|
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