技术参数/频率： | 10 GHz |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 5 V |
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技术参数/输出功率： | 12 dBm |
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技术参数/增益： | 9 dB |
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技术参数/测试电流： | 20 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300 mW |
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技术参数/额定电压： | 5 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SMD |
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外形尺寸/高度： | 0.25 mm |
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外形尺寸/封装： | SMD |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bag |
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其他/制造应用： | 射频通信, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 无线, 便携式器材, RF Communications, Wireless, Portable Devices |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VMMK-1218-TR1G
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Broadcom (博通) | 完全替代 | 0402 |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz
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