技术参数/额定电压(DC): -80.0 V
技术参数/额定电流: 20.0 A
技术参数/针脚数: 2
技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 160 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 20A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @10A, 3V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 18000
技术参数/额定功率(Max): 160 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 18
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 160000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: TO-204-2
外形尺寸/封装: TO-204-2
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
其他/制造应用: 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2016/06/20
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ETC | 类似代替 |
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
|
|||
|
|
Microchip (微芯) | 类似代替 |
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
|
|||
|
|
Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-3 |
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
|
||
|
|
Central Semiconductor | 类似代替 | TO-204 |
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
|
||
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-204-2 |
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
|
||
2N6287G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6287G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 100 hFE 新
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价