技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 160 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 20A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 18000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/封装: TO-204-2
外形尺寸/长度: 39.37 mm
外形尺寸/宽度: 26.67 mm
外形尺寸/高度: 8.51 mm
外形尺寸/封装: TO-204-2
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/最小包装: 100
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ETC | 功能相似 |
Power Bipolar Transistor,
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Microchip (微芯) | 功能相似 |
Power Bipolar Transistor,
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-3 |
Power Bipolar Transistor,
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-204 |
Power Bipolar Transistor,
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
Power Bipolar Transistor,
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2N6286G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6286G 达林顿双极晶体管
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2N6286G
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-204 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6286G 达林顿双极晶体管
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