技术参数/工作电压: 15 V
技术参数/击穿电压: 17.6 V
技术参数/钳位电压: 20.6 V
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 15V
技术参数/脉冲峰值功率: 1500 W
技术参数/最小反向击穿电压: 17.6 V
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: DO-201AD
外形尺寸/封装: DO-201AD
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 通用
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1.5KE18A
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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YENJI (台湾元基) | 类似代替 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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JXND (嘉兴南电) | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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UNI-ROYAL | 类似代替 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | Case 1.5KE |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Multicomp | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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EIC | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Brightking (君耀电子) | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1N6377G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6377G
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Littelfuse (力特) | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6377RL4G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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