技术参数/额定电压(DC): 17.6 V
技术参数/额定功率: 1.50 kW
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/击穿电压: 17.6 V|17.6 V
技术参数/针脚数: 2
技术参数/耗散功率: 1500 W
技术参数/钳位电压: 25 V
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 15V
技术参数/测试电流: 1 mA
技术参数/最大反向击穿电压: 17.6 V
技术参数/脉冲峰值功率: 1500 W
技术参数/最小反向击穿电压: 17.6 V
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温: -65℃ ~ 175℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-201AD
外形尺寸/长度: 9.5 mm
外形尺寸/直径: 5.30 mm
外形尺寸/封装: DO-201AD
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
其他/制造应用: 通用, Medical, Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Automation & Process Control, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | DO-201 |
1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1N6377
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-201AD |
1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1N6377RL4G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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MPTE-015G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-201AD |
ESD 抑制器/TVS 二极管 15V 1500W Unidirectional
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