技术参数/频率: 200 MHz
技术参数/额定功率: 0.25 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/输入电容: 30 pF
技术参数/上升时间: 30 ns
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/下降时间: 65 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 工业, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSR16,215
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NXP BSR16,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE
|
||
|
|
Philips (飞利浦) | 类似代替 | TO-236 |
NXP BSR16,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE
|
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MMBT2907AWT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
|
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PMBT2907,215
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
PMBT2907A 系列 40 V 600 mA 表面贴装 PNP 开关 晶体管 - SOT-23-3
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PMBT2907A
|
Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-23 |
PMBT2907A
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PMBT2907A
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-236 |
PMBT2907A
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PMBT2907A,235
|
NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23-3 |
TO-236AB PNP 60V 0.6A
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