技术参数/额定功率: 200 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.004 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 200 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 162A
技术参数/上升时间: 140 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 7360pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.8 W
技术参数/下降时间: 26 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1404STRLPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
|
||
IRF1404STRLPBF
|
IFC | 类似代替 |
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
|
|||
IRF1404STRLPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
|
||
IRF2804SPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
|
||
|
|
Infineon | 类似代替 | TO-263 |
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRF2804SPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
|
||
|
IRF2804SPBF
|
IRF | 类似代替 |
INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价