技术参数/额定功率: 330 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.002 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 6450pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/漏源击穿电压: 40 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 270A
技术参数/上升时间: 120 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 6450pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 130 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.25 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1404SPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF1404SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
|
||
STB200NF04T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价