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型号： J111_D26Z
描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111_D26Z 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, TO-226AA, JFET
商品二维码
品 牌： Fairchild (飞兆/仙童)
封 装： TO-226-3
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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￥ 0.6197
50+:
￥ 0.5738
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￥ 0.5508
300+:
￥ 0.5324
500+:
￥ 0.5187
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技术参数/额定电压(DC): 35.0 V

技术参数/额定电流: 50.0 mA

技术参数/漏源极电阻: 30 Ω

技术参数/耗散功率: 625 mW

技术参数/漏源极电压(Vds): 35.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.0 mA

技术参数/击穿电压: 35 V

技术参数/额定功率(Max): 625 mW

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 625 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-226-3

外形尺寸/高度: 5.33 mm

外形尺寸/封装: TO-226-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15

海关信息/ECCN代码: EAR99

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替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
J111 J111 TI (德州仪器) 类似代替 3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
J111 J111 ON Semiconductor (安森美) 类似代替 TO-92-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
PDF
J111 J111 VISHAY (威世) 类似代替 TO-92
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
J111 J111 Vishay Dale (威世达勒) 类似代替
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
PDF
J111 J111 Calogic 类似代替 TO-92
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
PDF
J111 J111 ETC1 类似代替
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J111 晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92
PDF
J111_D26Z J111_D26Z Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 TO-226-3
J111系列 35 V 20 mA 8 Ohm 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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