技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 30 Ω
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 35 V
技术参数/击穿电压: 35 V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/制造应用: 工业, 音频
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
J111_D26Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
J111系列 35 V 20 mA 8 Ohm 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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J111_D75Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
JFET N-CH 35V 625mW TO92
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J111_D75Z
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
JFET N-CH 35V 625mW TO92
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|
Calogic | 类似代替 | TO-92 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-92 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
|
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J112
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
|
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J112
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-92 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
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J112
|
ETC1 | 类似代替 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
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J112
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-92 |
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
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J113
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
J113系列 35 V 2 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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J113
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-92 |
J113系列 35 V 2 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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J113
|
ETC1 | 类似代替 |
J113系列 35 V 2 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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J113
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Samsung (三星) | 类似代替 |
J113系列 35 V 2 mA 通孔 N沟道 开关 - TO-92
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