技术参数/击穿电压: -25.0 V|25 V
技术参数/漏源极电阻: 8 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 25 V
技术参数/漏源击穿电压: 25 V
技术参数/栅源击穿电压: 25 V
技术参数/输入电容(Ciss): 30pF @10V(Vgs)
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBF4392LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBF4392LT1G 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5459. 场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23
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MMBF5459
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5459. 场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
N沟道FET的结 N-channel junction FETs
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PMBFJ108
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
N沟道FET的结 N-channel junction FETs
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