技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 50.0 mA
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/击穿电压: -30.0 V|30 V
技术参数/漏源极电阻: 60 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 225 mW
技术参数/输入电容: 14 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/栅源击穿电压: 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 14pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 225 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 225 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.94 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, Industrial, 工业, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBF4392
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
MMBF4392 结型n沟道场效应管 30V 75MA SOT23 代码 6K
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MMBF4392LT1
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
JFET的开关 JFETs Switching
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