技术参数/容差: ±5 %
技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 1V @50mA
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/测试电流: 8 mA
技术参数/稳压值: 36 V
技术参数/正向电压(Max): 1V @50mA
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/长度: 4.8 mm
外形尺寸/宽度: 2.6 mm
外形尺寸/高度: 2.6 mm
外形尺寸/封装: DO-41
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
物理参数/温度系数: 33.55 mV/K
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Good-Ark Electronics (固锝) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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BZV85-C36
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Nexperia (安世) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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BZV85-C36
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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BZV85-C36
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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BZV85-C36,113
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Nexperia (安世) | 类似代替 | DO-41 |
NXP BZV85-C36,113 单管二极管 齐纳, 36 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚
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