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描述: 绝缘栅双极晶体管(超快速度IGBT ) , 100 A Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
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封 装: SOT-227-4
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技术参数/额定功率: 500 W

技术参数/针脚数: 4

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 500 W

技术参数/上升时间: 75.0 ns

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V

技术参数/输入电容(Cies): 16.5nF @30V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 500000 mW

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-227-4

外形尺寸/长度: 38.3 mm

外形尺寸/宽度: 25.7 mm

外形尺寸/高度: 12.3 mm

外形尺寸/封装: SOT-227-4

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

海关信息/ECCN代码: EAR99

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