技术参数/通道数: 1
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/输入电容(Ciss): 320pF @100V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 34 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PG-TSDSON-8
外形尺寸/长度: 3.4 mm
外形尺寸/宽度: 3.4 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: PG-TSDSON-8
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSC22DN20NS3G
|
Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TDSON |
MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
|
||
BSZ22DN20NS3GATMA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TSDSON-8 |
INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价