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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 320pF @100V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 34 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | TDSON |
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外形尺寸/长度： | 5.35 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.35 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
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外形尺寸/封装： | TDSON |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BSZ22DN20NS3G
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | PG-TSDSON-8 |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSZ22DN20NS3GATMA1
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TSDSON-8 |
INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
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