技术参数/漏源极电阻: 4.00 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.00 W
技术参数/漏源击穿电压: 80.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 300 mA
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92
外形尺寸/封装: TO-92
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-92-3 |
N沟道垂直D- MOS晶体管 N-channel vertical D-MOS transistor
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VN0808L
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-92 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-226AA
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VN0808L
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Suptertex | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-226AA
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VN0808L
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Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-226AA
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VN0808L-G
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Supertex (超科) | 完全替代 | TO-92 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-92
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