技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 190 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 10 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 830 mW
技术参数/输入电容: 40.0 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 190 mA
技术参数/上升时间: 70 ns
技术参数/下降时间: 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 4.8 mm
外形尺寸/宽度: 4.2 mm
外形尺寸/高度: 5.2 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BST72A,112
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-92-3 |
SPT N-CH 100V 0.19A
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VN0808L
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-92 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-92
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VN0808L
|
Suptertex | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-92
|
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VN0808L
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Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
Trans MOSFET N-CH 80V 0.3A 3Pin TO-92
|
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VN0808L-G
|
Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 80 V, 4 ohm, 10 V, 2 V
|
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