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型号： BSM100GB120DN2
描述： IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
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品 牌： Infineon (英飞凌)
封 装： Half Bridge2
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
801.45  元 801.45元
1+:
￥ 913.6553
10+:
￥ 881.5972
50+:
￥ 877.5899
100+:
￥ 873.5827
150+:
￥ 867.1711
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技术参数/耗散功率: 800 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

封装参数/引脚数: 7

封装参数/封装: Half Bridge2

外形尺寸/长度: 106.4 mm

外形尺寸/宽度: 61.4 mm

外形尺寸/高度: 30 mm

外形尺寸/封装: Half Bridge2

其他/产品生命周期: Not Recommended

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
FZ400R12KS4 FZ400R12KS4 Infineon (英飞凌) 功能相似 AG-62MM-2
62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching

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