技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2.5 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/高度: 6.6 mm
外形尺寸/封装: TO-39
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Active
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BFG35,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
|
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