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型号: BFG35,115
描述: NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
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封 装: TO-261-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率: 4000 MHz

技术参数/针脚数: 3

技术参数/极性: NPN

技术参数/耗散功率: 1 W

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 18 V

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25 @100mA, 10V

技术参数/额定功率(Max): 1 W

技术参数/直流电流增益(hFE): 70

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-261-4

外形尺寸/长度: 6.7 mm

外形尺寸/宽度: 3.7 mm

外形尺寸/高度: 1.7 mm

外形尺寸/封装: TO-261-4

物理参数/工作温度: 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/ECCN代码: EAR99

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NXP BFQ19 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE
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