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技术参数/供电电流: 350 µA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/共模抑制比: 97 dB
技术参数/输入补偿漂移: 500 nV/K
技术参数/带宽: 1.00 MHz
技术参数/转换速率: 400 mV/μs
技术参数/增益频宽积: 1 MHz
技术参数/输入补偿电压: 200 µV
技术参数/输入偏置电流: 15 nA
技术参数/工作温度(Max): 105 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/增益带宽: 97 dB
技术参数/共模抑制比(Min): 97 dB
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 105℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LT1013DD
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DD 双运算放大器
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|||
LT1013DDR
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDR 芯片, 精密运算放大器, 2路
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