技术参数/供电电流: 350 µA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 8
技术参数/共模抑制比: 97 dB
技术参数/输入补偿漂移: 500 nV/K
技术参数/带宽: 1 MHz
技术参数/转换速率: 400 mV/μs
技术参数/增益频宽积: 1 MHz
技术参数/输入补偿电压: 200 µV
技术参数/输入偏置电流: 15 nA
技术参数/工作温度(Max): 70 ℃
技术参数/工作温度(Min): 0 ℃
技术参数/增益带宽: 1 MHz
技术参数/共模抑制比(Min): 97 dB
技术参数/电源电压: 5V ~ 30V
技术参数/电源电压(Max): 44 V
技术参数/电源电压(Min): 4 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/高度: 1.58 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LT1013DD
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 完全替代 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DD 双运算放大器
|
|||
LT1013DDG4
|
TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDG4 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
|
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