技术参数/频率: 150 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 120 @2mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 260
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC856BLT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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BCW89
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
NXP BCW89 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE 新
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BCW89
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
NXP BCW89 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE 新
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BCW89
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
NXP BCW89 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE 新
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BCW89
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP BCW89 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE 新
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MMBTA55LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA55LT1G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
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