技术参数/频率: 3 MHz
技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 4.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 36 W
技术参数/增益频宽积: 3 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 4A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @500mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 36 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 20
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 36000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-225-3
外形尺寸/长度: 7.74 mm
外形尺寸/宽度: 2.66 mm
外形尺寸/高度: 11.04 mm
外形尺寸/封装: TO-225-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Transys Electronics | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
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BD439
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CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-126 |
STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
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BD439
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
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BD439
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Continental Device | 功能相似 | SIP |
STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
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BD439S
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
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BD439S
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
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