技术参数/频率： | 3 MHz |
|
技术参数/耗散功率： | 36 W |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 60 V |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 20 @10mA, 5V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 36 W |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 36000 mW |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-126-3 |
|
外形尺寸/封装： | TO-126-3 |
|
物理参数/材质： | Silicon |
|
物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Bag |
|
符合标准/RoHS标准： |
| |
符合标准/含铅标准： | 无铅 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Transys Electronics | 类似代替 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
|
|||
BD439
|
CJ (长电科技) | 类似代替 | TO-126 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
|
||
BD439
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
|
||
BD439
|
Continental Device | 类似代替 | SIP |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
|
||
BD439G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-225-3 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
|
||
BD439S
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
|
||
BD439S
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-126-3 |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价