技术参数/频率: 150 MHz
技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -1.00 A
技术参数/额定功率: 2 W
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @150mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCP53TA
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | SOT-223 |
晶体管-双极-BJT-单-PNP-80V-1A-150MHz-2W-表面贴装型-SOT-223
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Zetex | 类似代替 |
FZT591 系列 PNP 1 A 60 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-223
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NSV60600MZ4T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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