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技术参数/电源电压(DC): 22.0 V
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 8
技术参数/共模抑制比: 100 dB
技术参数/输入补偿漂移: 400 nV/K
技术参数/带宽: 1 MHz
技术参数/转换速率: 400 mV/μs
技术参数/增益频宽积: 700 kHz
技术参数/输入补偿电压: 0.25 mV
技术参数/输入偏置电流: 35 nA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/共模抑制比(Min): 100 dB
技术参数/电源电压: 4V ~ 44V
技术参数/电源电压(Max): 44 V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: DIP
外形尺寸/长度: 9.6 mm
外形尺寸/宽度: 6.67 mm
外形尺寸/高度: 4.57 mm
外形尺寸/封装: DIP
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LT1013CP
|
TI (德州仪器) | 功能相似 | PDIP-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013CP 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚
|
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LT1013DD
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DD 双运算放大器
|
|||
LT1013DDR
|
TI (德州仪器) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDR 芯片, 精密运算放大器, 2路
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