技术参数/耗散功率: 4W (Ta), 75W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 400 V
技术参数/上升时间: 40 ns
技术参数/下降时间: 35 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-204
外形尺寸/封装: TO-204
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Harris | 功能相似 | TO-204AA |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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2N6760
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
|
||
2N6760
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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2N6760
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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IRF320
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF320
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Samsung (三星) | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3Pin(2+Tab) TO-3
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JANTX2N6760
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-204 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3Pin(2+Tab) TO-3
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NTE2386
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-3 |
TO-3 N-CH 600V 6.2A
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