技术参数/耗散功率： | 4 W |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 400 V |
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技术参数/上升时间： | 40 ns |
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技术参数/下降时间： | 35 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 4W (Ta), 75W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-204 |
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外形尺寸/封装： | TO-204 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF320
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3Pin(2+Tab) TO-3
|
|||
|
IRF320
|
Samsung (三星) | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3Pin(2+Tab) TO-3
|
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JANTX2N6760
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
|
||
NTE2386
|
NTE Electronics | 功能相似 | TO-3 |
TO-3 N-CH 600V 6.2A
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