技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 200 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @1A, 5V
技术参数/额定功率(Max): 2.5 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-213
外形尺寸/封装: TO-213
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NJS | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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2N3584
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-66-2 |
NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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Comset Semiconductors | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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2N3584
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-66-2 |
NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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Wings | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771
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Boca Semiconductor (博卡半导体) | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771
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NTE Electronics | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771
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Multicomp | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-3 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-3 |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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ETC | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-3 |
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N5039
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3
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