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型号: 2N3584
描述: 5安培, 375V ,高压硅NPN功率晶体管 5 Amp, 375V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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封 装: TO-66-2
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包装方式: Tray
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技术参数/耗散功率: 35 W

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40

技术参数/工作温度(Max): 200 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-66-2

外形尺寸/封装: TO-66-2

物理参数/材质: Silicon

其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs

其他/包装方式: Tray

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N3584 2N3584 NJS 功能相似
NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
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2N3585 2N3585 NTE Electronics 功能相似 TO-66
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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2N3585 2N3585 Mospec 功能相似 TO-66
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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2N3585 2N3585 Central Semiconductor 功能相似 TO-66-2
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
2N3771 2N3771 Boca Semiconductor (博卡半导体) 功能相似
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771 2N3771 NTE Electronics 功能相似
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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2N3771 2N3771 ON Semiconductor (安森美) 功能相似 TO-3
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2N5039 2N5039 ETC 功能相似
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2N5039 2N5039 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-3
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2N5039 2N5039 ON Semiconductor (安森美) 功能相似
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3

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