技术参数/漏源极电阻: 140 mΩ
技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 3.7 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 18A
技术参数/上升时间: 120 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1100pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 58 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3700 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDB045AN08A0
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | D2PAK-263 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
|
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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SIHF9Z34STRL-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | D2PAK |
SIHF9Z34STRL-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 13A, 60V, 3Pin D2PAK
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