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型号: IRF8707PBF
描述: N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: SOIC-8
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技术参数/额定功率: 2.5 W

技术参数/漏源极电阻: 0.0119 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 2.5 W

技术参数/阈值电压: 1.8 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 11A

技术参数/上升时间: 7.9 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 760pF @15V(Vds)

技术参数/下降时间: 4.4 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Ta)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.5 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs

其他/包装方式: Tube

其他/制造应用: Load Switch High Side, Battery Protection, Load Switch Low Side

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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