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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 17.5 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/产品系列： | IRF8707 |
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技术参数/阈值电压： | 1.8 V |
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技术参数/输入电容： | 760 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 11.0 A |
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技术参数/上升时间： | 7.9 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 760pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2.5 W |
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技术参数/下降时间： | 4.4 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Load Switch Low Side, Battery Protection, Load Switch High Side |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FDS6690A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
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FDS6690A
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
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FDS6690AS
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
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IRF8707PBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF8707PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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