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型号： APT80GP60J

描述： Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 462000mW 4Pin SOT-227

品牌： Microsemi (美高森美)

封装： SOT-227

货期：

包装方式： Tube

标准包装数： 1

1+:

￥ 245.1007

10+:

￥ 238.7067

50+:

￥ 233.8047

100+:

￥ 232.0997

200+:

￥ 230.8209

500+:

￥ 229.1158

1000+:

￥ 228.0502

2000+:

￥ 226.9845

价格	￥ 245.1007	￥ 238.7067	￥ 233.8047	￥ 232.0997	￥ 230.8209
起批量	1+	10+	50+	100+	200+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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技术参数/额定电压(DC): 600 V

技术参数/额定电流: 151 A

技术参数/耗散功率: 462000 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V

技术参数/输入电容(Cies): 9.84nF @25V

技术参数/额定功率(Max): 462 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 462000 mW

封装参数/安装方式: Screw

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-227

外形尺寸/封装: SOT-227

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Not For New Designs

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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