技术参数/额定电压(DC): 900 V
技术参数/额定电流: 5.80 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 1.9 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.13 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V
技术参数/漏源击穿电压: 900 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.80 A
技术参数/上升时间: 80 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1880pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 55 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STB6NK90ZT4
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STMicroelectronics | 功能相似 | TO263 |
STMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
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STB6NK90ZT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
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