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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FQB5N90TM
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
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FQB6N90TM_AM002
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N90TM_AM002
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB6NB90
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | D2PAK |
N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET
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